专利

序号 名称 国别 申请号/专利号 发明专利 实用新型 申请时间 授权时间 发明人
1 纳米级高分辨应力测量方法 中国

2005

10078721.5


2005

06.03

2009

09.09

蔡端俊徐富春康俊勇
2 树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极 中国

2006

10092944.1


2006

06.15

2008

11.26

刘学林康俊勇
3 选择超晶格位置掺杂的p型Ⅲ族氮化物材料的制备方法 中国

2008

10071176.0


2008

06.04

2010

04.15

康俊勇李金钗李书平杨伟煌陈航洋刘达艺
4 一种表面等离激元同轴光波导结构 中国

2008

10071867.0


2008

09.26


康俊勇庄庆瑞冯夏
5 AlN生长面复合基底的制备方法以及氮化物半导体器件 中国

2009

10111002.7


2009

02.03


康俊勇李书平陈航洋刘达艺杨伟煌林伟   李金钗

6 基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法 中国

2009

10112318.8


2009

07.30


康俊勇林伟   李书平陈航洋刘达艺陈珊珊杨伟煌
7 多结太阳能电池及各子电池交流电致发光测试方法和装置 中国

2009

10112669.9


2009

10.16


康俊勇陈珊珊小川智哉