专利
| 序号 | 名称 | 国别 | 申请号／专利号 | 发明专利 | 实用新型 | 申请时间 | 授权时间 | 发明人 |
| 1 | 纳米级高分辨应力测量方法 | 中国 | 2005 10078721.5 |
√ | 2005 06.03 |
2009 09.09 |
蔡端俊徐富春康俊勇 | |
| 2 | 树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极 | 中国 | 2006 10092944.1 |
√ | 2006 06.15 |
2008 11.26 |
刘学林康俊勇 | |
| 3 | 选择超晶格位置掺杂的p型Ⅲ族氮化物材料的制备方法 | 中国 | 2008 10071176.0 |
√ | 2008 06.04 |
2010 04.15 |
康俊勇李金钗李书平杨伟煌陈航洋刘达艺 | |
| 4 | 一种表面等离激元同轴光波导结构 | 中国 | 2008 10071867.0 |
√ | 2008 09.26 |
康俊勇庄庆瑞冯夏 | ||
| 5 | AlN生长面复合基底的制备方法以及氮化物半导体器件 | 中国 | 2009 10111002.7 |
√ | 2009 02.03 |
康俊勇李书平陈航洋刘达艺杨伟煌林伟 李金钗 |
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| 6 | 基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法 | 中国 | 2009 10112318.8 |
√ | 2009 07.30 |
康俊勇林伟 李书平陈航洋刘达艺陈珊珊杨伟煌 | ||
| 7 | 多结太阳能电池及各子电池交流电致发光测试方法和装置 | 中国 | 2009 10112669.9 |
√ | 2009 10.16 |
康俊勇陈珊珊小川智哉 |